来源:科技日报:2013年10月21日
中美科学家携手合作为未来的电子设备研发出一类名为拓扑绝缘体(TI)的电导体。他们在一个超高真空腔内,分别在砷化镓(GaAs)粗糙和光滑的表面,种植出了两类拓扑绝缘体材料,并对它们输送电子的能力进行了评估,其将可用于未来超高速、能量不散逸计算机。
来源:科技日报:2013年10月21日
中美科学家携手合作为未来的电子设备研发出一类名为拓扑绝缘体(TI)的电导体。他们在一个超高真空腔内,分别在砷化镓(GaAs)粗糙和光滑的表面,种植出了两类拓扑绝缘体材料,并对它们输送电子的能力进行了评估,其将可用于未来超高速、能量不散逸计算机。